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香港(c)晶格部分位错与NiCoCr中已存在的孪晶/hcp畴相互作用以促进hcp畴生长原文链接：https://doi.org/10.1016/j.actamat.2019.12.015本文由虚谷纳物供稿。从港插图显示加载过程中原位获得的法向应变作为DIC等值线图。

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